Curso de LCD y Plasma - pág.101

La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la misma.

Observamos ahora la circulación de lagunas positivas que por supuesto salen del terminal sumidero en donde se encuentran en exceso y circulan al terminal de fuente donde se encuentran en defecto.

En la figura 6.2.4 se puede observar una simulación en WB de este dispositivo que nos aclara el modo de polarización empleado. En principio debe observarse que la fuente VCC es ahora negativa de 50V para que el funcionamiento sea totalmente complementario del anterior. Y además se observa que la conducción ocurre en el cuadrante negativo de la tensión de compuerta. En efecto cuando la tensión de compuerta es mas negativa que -4V aproximadamente el MOSFET conduce y anula la tensión de drenaje. Con tensiones mas positivas que 4V el canal se abre y aparece la tensión de fuente sobre el drenaje que por supuesto es de -50V. No piense en tensiones realmente negativas aplicadas a este dispositivo. Muchas veces se cuelga el terminal de fuente precisamente de la tensión de fuente para que una tensión inferior a la fuente se encargue de polarizar adecuadamente la compuerta y el resistor de carga se conecte entre drenaje y masa.

Se trata de un circuito similar a cuando se usa un transistor PNP en un equipo que tiene fuente positiva. El transistor se pone cabeza abajo con el emisor mirando hacia fuente y colector hacia masa.

Fig.6.2.4 Simulación en WB de un transistor MOSFET tipo P de enriquecimiento

Queda por analizar un MOSFET de empobrecimiento pero no vamos a realizar un análisis de su fabricación sino solamente de su comportamiento realizando una simulación.